삼성전자는 지난달 세계 최초로 차세대 DDR4(Double Data Rate 4) D램을 개발했다.

DDR4 D램은 최근 D램 시장의 주력으로 부상한 DDR3 D램과 비교해 속도가 2배 가량 빠르면서 동작전압이 낮아 소비전력을 줄일 수 있는 D램 규격이다.

이는 30nm급 D램으로 데스크톱용 2GB(기가바이트) UDIMM(Unbuffered Dual In-line Memory Module) 제품이다. 삼성전자는 컨트롤러 업체들을 비롯한 서버업체들과 협력해 올해 하반기까지 DDR4 D램 관련 기술의 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council) 표준화를 완료한다는 계획이다.

삼성전자가 이번에 개발한 DDR4 D램은 1.35V 또는 1.5V로 동작하는 DDR3 D램보다 낮은 1.2V에서 작동하며, 데이터 전송속도는 2.1Gbps(Giga-bit per Second)로 구현됐다. DDR4 D램을 DDR3 D램과 동일한 데이터 읽기·쓰기 방식을 적용했지만, 효율적인 데이터 처리 구조를 적용해 동작속도를 2배 빠르게 구현했다.

DDR4 D램을 PC에 탑재하면 같은 30nm급 1.5V, DDR3 D램에 비해 성능은 두 배로 높이면서 소비전력은 약 40% 낮췄다.

삼성전자 반도체사업부 메모리담당 전동수 사장은 "삼성전자는 해마다 업그레이드된 '그린메모리' 전략으로 IT 업계에서 친환경 제품을 출시하는데 적극적으로 협력해 왔다"면서, "이번에 삼성전자가 개발한 DDR4 D램 기술로 서버 업체를 비롯한 고객들에게 '그린메모리' 제품에 대한 신뢰를 더욱 높일 수 있게 됐다. 삼성전자는 차세대 공정의 4Gb(기가비트) DDR4 D램을 앞서 생산해 대용량 D램 시장 성장을 선점해 나가겠다"고 밝혔다.

삼성전자는 DDR4 D램을 2012년 이후 차세대 공정으로 양산할 예정이다.

미디어잇 홍진욱 기자 honga@it.co.kr
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